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Ponencia

dc.creatorBarranco Quero, Ángel
dc.creatorJiménez Marín, Alfonso
dc.creatorFrutos Rayego, Fabián
dc.creatorCotrino Bautista, José
dc.creatorYubero Valencia, Francisco
dc.creatorEspinós Manzorro, Juan Pedro
dc.creatorGonzález Elipe, Agustín Rodríguez
dc.date.accessioned2016-02-08T11:41:04Z
dc.date.available2016-02-08T11:41:04Z
dc.date.issued2001
dc.identifier.citationBarranco, A., Jiménez Marín, A., Frutos Rayego, F., Cotrino Bautista, J., Yubero Valencia, F., Espinós Manzorro, J.P. y González Elipe, A.R. (2001). Dielectric breakdown of SiO2 thin films deposited by ion beam induced and plasma enhanced CVD. IEEE.
dc.identifier.isbn0-7803-6352-3es
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11441/34293
dc.formatapplication/pdfes
dc.language.isoenges
dc.publisherIEEEes
dc.relation.ispartof2001 IEEE 7th International Conference on Solid Dielectrics, 303-306, June 25-29,2001, Eindhoven, the Netherlandses
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internacional*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/*
dc.titleDielectric breakdown of SiO2 thin films deposited by ion beam induced and plasma enhanced CVDes
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjectes
dcterms.identifierhttps://ror.org/03yxnpp24
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersiones
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses
dc.contributor.affiliationUniversidad de Sevilla. Departamento de Física Aplicada Ies
dc.relation.publisherversionhttp://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?tp=&arnumber=955633es
dc.identifier.doihttp://dx.doi.org/10.1109/ICSD.2001.955633es
dc.identifier.idushttps://idus.us.es/xmlui/handle/11441/34293

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