Diseño de un amplificador de muy baja tensión y altas prestaciones basado en técnicas gate y bulk-driven

Abstract

En este proyecto se presenta una nueva técnica de diseño de transistores de baja tensión, bulk driven quasi floating gate (BD-QFG), esta técnica consigue aunar las prestaciones de baja tensión que se obtienen con la técnica bulk driven y gate driven. Posteriormente, se proponen dos amplificadores de 3 etapas, clase AB de baja tensión empleando dicha técnica. Estos amplificadores son diseñados en el entorno de trabajo Cadence en una tecnología CMOS estándar de 180 nm y se realizan los análisis necesarios para verificar su funcionamiento. Por último, se comparan las prestaciones obtenidas.

In this project a new design technique for the design of low voltage transistors known as bulk driven quasi floating gate (BD-QFG) is presented. Such a technique manages to combine the low voltage features obtained using the bulk driven and gate driven technique. Subsequently, two three-stage low-voltage class AB amplifiers are proposed employing this method. These amplifiers are designed in the Cadence work environment in a standard 180nm CMOS technology and the necessary tests are performed in order to check their functioning. Finally, the benefits obtained are compared.