Mostrar el registro sencillo del ítem
Trabajo Fin de Máster
Estudio de la resistencia a la radiación de diodos de silicio mediante aceleradores de partículas
| dc.contributor.advisor | García López, Francisco Javier | es |
| dc.contributor.advisor | Jiménez Ramos, María del Carmen | es |
| dc.creator | García Osuna, Adrián | es |
| dc.date.accessioned | 2019-08-22T08:44:53Z | |
| dc.date.available | 2019-08-22T08:44:53Z | |
| dc.date.issued | 2019-06 | |
| dc.identifier.citation | García Osuna, A. (2019). Estudio de la resistencia a la radiación de diodos de silicio mediante aceleradores de partículas. (Trabajo Fin de Máster Inédito). Universidad de Sevilla, Sevilla. | |
| dc.identifier.uri | https://hdl.handle.net/11441/88562 | |
| dc.description.abstract | Actualmente, el silicio es el material mas comunmente usado para fabricar detectores de semiconductor y dispositivos electronicos. Esto se debe principalmente a su alta disponibilidad en forma de monocristal de alta pureza y a la capa de oxido natural que forma en su super cie, que disminuye el ruido generado y lo protege de la contaminacion. Ademas, pueden usarse a temperatura ambiente, de tal manera que no es necesario un sistema de refrigeracion | es |
| dc.format | application/pdf | es |
| dc.language.iso | spa | es |
| dc.title | Estudio de la resistencia a la radiación de diodos de silicio mediante aceleradores de partículas | es |
| dc.type | info:eu-repo/semantics/masterThesis | es |
| dc.type.version | info:eu-repo/semantics/publishedVersion | es |
| dc.rights.accessRights | info:eu-repo/semantics/openAccess | es |
| dc.contributor.affiliation | Universidad de Sevilla. Departamento de Física Atómica, Molecular y Nuclear | es |
| dc.date.embargoEndDate | 2019-06 | |
| dc.description.degree | Universidad de Sevilla. Máster Universitario Física Nuclear | es |
| idus.format.extent | 42 | es |
| Ficheros | Tamaño | Formato | Ver | Descripción |
|---|---|---|---|---|
| GARCÍA OSUNA, ADRIÁN.pdf | 12.38Mb | 
[PDF]
| Ver/ | |
Este registro aparece en las siguientes colecciones
Este documento está protegido por los derechos de propiedad intelectual e industrial. Sin perjuicio de las exenciones legales existentes, queda prohibida su reproducción, distribución, comunicación pública o transformación sin la autorización del titular de los derechos, a menos que se indique lo contrario.