Master's Final Project
Estudio de la resistencia a la radiación de diodos de silicio mediante aceleradores de partículas
Author/s | García Osuna, Adrián |
Director | García López, Francisco Javier
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() Jiménez Ramos, María del Carmen |
Department | Universidad de Sevilla. Departamento de Física Atómica, Molecular y Nuclear |
Publication Date | 2019-06 |
Deposit Date | 2019-08-22 |
Academic Title | Universidad de Sevilla. Máster Universitario Física Nuclear |
Abstract | Actualmente, el silicio es el material mas comunmente usado para fabricar detectores de semiconductor y dispositivos electronicos. Esto se debe principalmente a su alta disponibilidad en forma de monocristal de alta pureza ... Actualmente, el silicio es el material mas comunmente usado para fabricar detectores de semiconductor y dispositivos electronicos. Esto se debe principalmente a su alta disponibilidad en forma de monocristal de alta pureza y a la capa de oxido natural que forma en su super cie, que disminuye el ruido generado y lo protege de la contaminacion. Ademas, pueden usarse a temperatura ambiente, de tal manera que no es necesario un sistema de refrigeracion |
Citation | García Osuna, A. (2019). Estudio de la resistencia a la radiación de diodos de silicio mediante aceleradores de partículas. (Trabajo Fin de Máster Inédito). Universidad de Sevilla, Sevilla. |
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GARCÍA OSUNA, ADRIÁN.pdf | 12.38Mb | ![]() | View/ | |
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