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PhD Thesis
Semiconductores amorfos : modelos de estructura atómica de las aleaciones GEo.20 AS0.40 SE 0.40. y GE 0.30 AS0.20SE 0.50
(1985)
La distribución del trabajo presentado podemos resumirla como sigue: En el Capítulo 2, introducimos las distintas técnicas experimentales y métodos de cálculo, para centrarnos en los utilizados en nuestro caso, detallando ...
PhD Thesis
Semiconductores amorfos. Función de distribución radial de la aleación Al10As20Te70. Modelos de estructura de las aleaciones Al20As50Te30, Al10As40Te50 y Al10As20Te70
(1983-06-28)
Este trabajo viene a completar el estudio estructural de la región de formación de amorfos del sistema Al-As-Te, del que se ha podido observar experimentalmente que presenta el efecto conmutación y exhibe características ...