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Listar Ingeniería y Ciencia de los Materiales y del Transporte por autor "Mortet, Vincent"
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Ponencia
Compositional characterization of SiC-SiO2 interfaces in MOSFETs
Beltrán, Ana M.; Schamm-Chardon, Sylvie; Mortet, Vincent; Bedel-Pereira, Eléna; Cristiano, Fuccio; Strenger, C.; Bauer, A.J. (The Royal Microscopical Society, 2012)In the context of the MobiSiC project (Mobility engineering for SiC devices) we study 4H-SiC MOSFETs with the aim to get ...
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Ponencia
Heavily boron doped nano-crystalline diamond growth by MW-LA-PECVD [Póster]
Taylor, Andy; Ashcheulov, Petr; Hubík, Pavel; Klimša, Ladislav; Kopeček, Jaromír; Zivcova, Zuzana Vlckova; Remzová, M.; Kavan, Ladislav; Beltrán, Ana M.; Mortet, Vincent (2017)Diamond is a unique semiconductor with a wide bandgap which is easily doped with boron and is acknowledged as one of the ...
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Ponencia
MS-3-P-5702 Nanoanalytical investigations at the interface of 4H-SiC/SiO2 MOSFETs [Póster]
Tan, H.; Beltrán, Ana M.; March, K.; Mortet, Vincent; Bedel-Pereira, Eléna; Cristiano, Fuccio; Strenger, C.; Bauer, A.J.; Schamm-Chardon, Sylvie (Czechoslovak Microscopy Society, 2014)