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Listar Ingeniería y Ciencia de los Materiales y del Transporte por autor "Duguay, S"
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Artículo
Atomic scale characterization of SiO2/4H-SiC interfaces in MOSFETs devices
Beltrán, Ana M.; Duguay, S; Strenger, C; Cristiano, F.; Schamm-Chardon, S.; Bauer, A.J. (Elsevier, 2015)The breakthrough of 4H-SiC MOSFETs is stemmed mainly due to the mobility degradation in their channel in spite of the good ...