Tesis Doctoral
Semiconductores amorfos. Función de distribución radial de la aleación Al10As20Te70. Modelos de estructura de las aleaciones Al20As50Te30, Al10As40Te50 y Al10As20Te70
Autor/es | Esquivias Fedriani, Luis María |
Director | Sanz Ruiz, Francisco |
Departamento | Universidad de Sevilla. Departamento de Física de la Materia Condensada |
Fecha de publicación | 1983-06-28 |
Fecha de depósito | 2018-06-01 |
Resumen | Este trabajo viene a completar el estudio estructural de la región de formación de amorfos del sistema Al-As-Te, del que se ha podido observar experimentalmente que presenta el efecto conmutación y exhibe características ... Este trabajo viene a completar el estudio estructural de la región de formación de amorfos del sistema Al-As-Te, del que se ha podido observar experimentalmente que presenta el efecto conmutación y exhibe características de cristalización notablemente diferentes en función de la composición. Después de una síntesis de los conocimientos que actualmente se poseen sobre la formación y estructura de los compuestos amorfos, se expone un resumen de la información que se dispone sobre el comportamiento estructural del sistema Al-As-Te. En el Capítulo III se explica el método seguido para la obtención de la función de distribución radial y su interpretación y en el IV una breve reseña del sistema experimental. En el Capítulo V se exponen las diferentes correcciones que se deben introducir en los datos de difracción, así como el método empleado para normalizar las intensidades a unidades electrónicas y el posterior cálculo de la función de la interferencia. En los Capítulos VI y VII se obtiene, analiza y discute la función de distribución radial de la aleación Al10As20Te70. En el capítulo siguiente se resumen y comentan las técnicas más utilizadas para la creación de modelos de estructura, haciendo especial hincapié en la técnica de Metrópolis-Montecarlo, por ser la utilizada en este trabajo. El capítulo IX está dedicado a la construcción de los modelos de estructura de las aleaciones Al20As50Te30, Al10As40Te50 y Al10As20Te70. En el capítulo X se lleva a cabo un análisis comparativo de los resultados de los distintos modelos y en el XI se encuentran las conclusiones generales de la memoria. |
Cita | Esquivias Fedriani, L.M. (1983). Semiconductores amorfos. Función de distribución radial de la aleación Al10As20Te70. Modelos de estructura de las aleaciones Al20As50Te30, Al10As40Te50 y Al10As20Te70. (Tesis Doctoral Inédita). Universidad de Sevilla, Sevilla. |
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H T.S.-029.pdf | 12.85Mb | [PDF] | Ver/ | |