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Artículo

dc.creatorHinojo Montero, José Maríaes
dc.creatorLuján Martínez, Clara Isabeles
dc.creatorTorralba Silgado, Antonio Jesúses
dc.creatorRamírez Angulo, Jaimees
dc.date.accessioned2023-12-11T07:37:53Z
dc.date.available2023-12-11T07:37:53Z
dc.date.issued2014-10
dc.identifier.citationHinojo Montero, J.M., Luján Martínez, C.I., Torralba Silgado, A.J. y Ramírez Angulo, J. (2014). Internally compensated LDO regulator based on the cascoded FVF. Microelectronics Journal, 45 (10), 1268-1274. https://doi.org/10.1016/j.mejo.2014.02.007.
dc.identifier.issn0026-2692es
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11441/152313
dc.description.abstractIn this paper, an internally compensated low dropout (LDO) voltage regulator based on the Flipped Voltage Follower (FVF) is proposed. By means of capacitive coupling and dynamic biasing, the transient response to both load and line variations is enhanced. The proposed circuit has been designed and fabricated in a standard 0.5 mm CMOS technology. Experimental results show that the proposed circuit features a line and a load regulation of 132.04 mV/V and 153.53 mV/mA, respectively. Moreover, the output voltage spikes are kept under 150 mV for a 2 V-to-5 V supply variation and for 1 mA-to-100 mA load variation, both in 1 ms.es
dc.formatapplication/pdfes
dc.format.extent7 p.es
dc.language.isoenges
dc.publisherElsevieres
dc.relation.ispartofMicroelectronics Journal, 45 (10), 1268-1274.
dc.subjectEnergy harvestinges
dc.subjectFlipped Voltage Follower (FVF)es
dc.subjectLow dropout (LDO)es
dc.subjectLow-poweres
dc.subjectLow-voltagees
dc.titleInternally compensated LDO regulator based on the cascoded FVFes
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/articlees
dcterms.identifierhttps://ror.org/03yxnpp24
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/submittedVersiones
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses
dc.contributor.affiliationUniversidad de Sevilla. Departamento de Ingeniería Electrónicaes
dc.relation.projectIDTEC2011-28724-C03-01es
dc.relation.projectIDTIC-6323es
dc.relation.publisherversionhttps://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0026269214000330es
dc.identifier.doi10.1016/j.mejo.2014.02.007es
dc.contributor.groupUniversidad de Sevilla. TIC192: Ingeniería Electrónicaes
idus.validador.notaPreprint. Submitted version Preprint. Versión enviadaes
dc.journaltitleMicroelectronics Journales
dc.publication.volumen45es
dc.publication.issue10es
dc.publication.initialPage1268es
dc.publication.endPage1274es

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