Listar Ingeniería Electrónica por autor 

Listar Ingeniería Electrónica por autor "Santos, Roberto Baginski Batista"  

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      COTS Tolerant to Total Ionizing Dose (TID): AlGaN/GaNbased transistor 10 KeV X-ray Analysis 

      Bôas, Alexis C.Vilas; Alberton, Saulo G.P.N.; de Melo, Marco Antônio Assis; Santos, Roberto Baginski Batista; Giacomini, R. Camargo; Medina, Nilberto H.; Seixas, Luís Eduardo; Finco, S.; Palomo Pinto, Rogelio; Guazzelli, Marcilei Aparecida (IOP Science, 2022)
      Gallium nitride commercial transistors (GaN FET) are great candidates as power devices tolerant to the effects of Total ...