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Redes MOBILE MOS-NDR operando con reloj de una fase

 

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Opened Access Redes MOBILE MOS-NDR operando con reloj de una fase
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Author: Nuñez Martínez, Juan
Avedillo de Juan, María José
Quintana Toledo, José María
Department: Universidad de Sevilla. Departamento de Electrónica y Electromagnetismo
Date: 2010
Published in: XVI Workshop Iberchip (2010), p 1-4
Document type: Presentation
Abstract: La existencia de dispositivos con una característica I-V que exhibe una resistencia diferencial negativa (Negative Differential Resistance, NDR) resulta atractiva desde el punto de vista del diseño de circuitos, como ha sido demostrado por los circuitos que usan diodos basados en el efecto túnel resonante (Resonant Tunneling Diodes, RTDs). Ideas procedentes de diseños con RTDs pueden exportarse a un entorno “todo CMOS” en el que la característica NDR se obtiene mediante transistores (MOS-NDR). En este artículo se proponen estructuras MOS-NDR para realizar puertas lógicas (Threshold Gates, TGs) que operan según el principio de operación MOBILE (MOnostable to BIstable Logic Element). Además, se demuestra que estas puertas pueden interconectarse para formar redes que operan en modo pipeline usando un esquema de reloj de una fase.
Cite: Nuñez Martínez, J., Avedillo de Juan, M.J. y Quintana Toledo, J.M. (2010). Redes MOBILE MOS-NDR operando con reloj de una fase. En XVI Workshop Iberchip, Iguazú, Brasil.
Size: 329.7Kb
Format: PDF

URI: https://hdl.handle.net/11441/76502

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