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Assessing application areas for tunnel transistor technologies

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Autor: Avedillo de Juan, María José
Nuñez Martínez, Juan
Departamento: Universidad de Sevilla. Departamento de Electrónica y Electromagnetismo
Fecha: 2016
Tipo de documento: Ponencia
Resumen: Tunnel transistors are one of the most attractive steep subthreshold slope devices currently being investigated as a means of overcoming the power density and energy inefficiency limitations of CMOS technology. In this paper, projected tunnel transistor technologies are evaluated and compared to LP and HP versions of both conventional and FinFET CMOS in terms of their power and energy in different application areas.
Tamaño: 234.8Kb
Formato: PDF

URI: https://hdl.handle.net/11441/73992

DOI: 10.1109/DCIS.2015.7388581

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