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Trabajo Fin de Grado

dc.contributor.advisorGallardo López, Ángela Maríaes
dc.contributor.advisorPoyato Galán, Rosalíaes
dc.creatorOsuna de Castro, Jesúses
dc.date.accessioned2017-08-04T10:44:25Z
dc.date.available2017-08-04T10:44:25Z
dc.date.issued2017
dc.identifier.citationOsuna de Castro, J. (2017). Conductividad eléctrica en función de la temperatura de compuestos de 3YTZP con nano-plaquetas de grafeno. (Trabajo Fin de Grado Inédita). Universidad de Sevilla, Sevilla.
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/11441/63593
dc.description.abstractEn este proyecto se ha estudiado la conductividad eléctrica y su dependencia con la temperatura en compuestos cerámicos de circona con 3%mol de itria (3YTZP, Yttria Tetragonal Zirconia Polycrystals) con tres contenidos distintos de nano-plaquetas de grafeno (GNPs, Graphene Nano Platelets), todas ellas (5, 10, 20%vol. de GNPs), por encima del límite de percolación eléctrica. Estos compuestos fueron sometidos a presión uniaxial durante la sinterización, por lo que el estudio se ha realizado en dos direcciones: la perpendicular y la paralela al eje de presión durante sinterización. En primer lugar, se ha realizado un análisis de la conductividad eléctrica a temperatura ambiente de estos compuestos donde se ha puesto de manifiesto la anisotropía eléctrica de los compuestos, reflejada en el factor de anisotropía eléctrica . La dependencia de la conductividad eléctrica con el contenido de GNPs se ha modelado mediante la regla de las mezclas obteniéndose un parámetro de conectividad de las fases (n), el cual sólo depende de la dirección en la que se mide la conductividad, siendo independiente de la cantidadde GNPs. En segundo lugar, se ha llevado a cabo el estudio de la conductividad eléctrica en función de la temperatura para estos compuestos mediante espectroscopía de impedancia compleja para determinar los distintos comportamientos (tipo metálico o semiconductor) que poseen los compuestos en función de la cantidad de GNPs y la dirección en la que se mida laconductividad . Se ha obtenido un comportamiento tipo semiconductor en algunos casos y en otros, el comportamiento es de tipo metálico. El comportamiento de tipo semiconductor se ha modelado utilizando el modelo bidimensional de salto de rango variable (2D-VRH, Two Dimensional Variable Range Hopping). Finalmente, haciendo uso de la espectroscopía Raman se ha puesto de manifiesto que no se han producido daños estructurales en las GNPs al someterlas a altas temperaturas (hasta 450℃). Haciendo un estudio de las bandas características de los espectros se ha puesto de manifiesto la anisotropía estructural de los compuestos, indicando una mayor cantidad de defectos en las secciones transversales de los compuestos .es
dc.formatapplication/pdfes
dc.language.isospaes
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internacional*
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 Internacional*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/*
dc.titleConductividad eléctrica en función de la temperatura de compuestos de 3YTZP con nano-plaquetas de grafenoes
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/bachelorThesises
dc.type.versioninfo:eu-repo/semantics/publishedVersiones
dc.rights.accessrightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses
dc.contributor.affiliationUniversidad de Sevilla. Departamento de Física de la Materia Condensadaes
dc.description.degreeUniversidad de Sevilla. Grado en Físicaes
idus.format.extent39 p.es

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