Semiconductores amorfos : modelos de estructura atómica de las aleaciones GEo.20 AS0.40 SE 0.40. y GE 0.30 AS0.20SE 0.50

Abstract

La distribución del trabajo presentado podemos resumirla como sigue: En el Capítulo 2, introducimos las distintas técnicas experimentales y métodos de cálculo, para centrarnos en los utilizados en nuestro caso, detallando la difracción de rayos -X por materiales amorfos y su posterior interpretación para después detallar la aplicación del método de MonteCarlo en la creación de modelos de estructura amorfa, con las distintas modificaciones realizadas. En el Capítulo 3, describimos detalladamente el método experimental seguido desde, la fabricación de las muestras hasta la corrección de las intensidades medidas experimentalmente, así como la reducción de datos para la obtención de una función de distribución radial (RDF) de las aleaciones amorfas Ge0.20As0.40Se0.40 y Ge0.30As0.20Se0.50, proponiendo un orden de corto alcance. Finalmente en el Capítulo 5 se desarrolla el proceso seguido en la construcción de modelos tridimensionales consistentes con los resultados experimentales. La descripción de sus parámetros estructurales medios, nos ha permitido obtener conclusiones tipológicas tanto en lo referente a las analogías como a las diferencias que presentan ambos compuestos, es decir, efectos, empaquetamiento, orden de medio alcance, fases separadas, continuidad en las condiciones de contorno, etc., y a continuación se exponen las conclusiones generales del trabajo. En los apéndices aparecen tabulados los resultados experimentales, tanto de las intensidades de difracción y funciones de distribución radial como el listado de las coordenadas de los modelos analizados.|