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Biasing CMOS amplifiers using MOS transistors in subthreshold region

Opened Access Biasing CMOS amplifiers using MOS transistors in subthreshold region

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Autor: Bikumandla, Manoj
González Carvajal, Ramón
Ramírez Angulo, Jaime
Urquidi, Carlos
López Martín, Antonio
Departamento: Universidad de Sevilla. Departamento de Ingeniería Electrónica
Fecha: 2004
Publicado en: IEICE Electronics Express, 1(12), 339-345
Tipo de documento: Artículo
Resumen: The implementation of large-valued floating resistive elements using MOS transistors in subthreshold region is addressed. The application of these elements to bias wideband AC coupled amplifiers is discussed. Simple schemes to generate the gate control voltages for the MOS transistors implementing large resistors so that they remain in high resistive state with large signal variations are discussed. Experimental results of a test chip prototype in 0.5-µm CMOS technology are presented that verify the proposed technique.
Tamaño: 308.1Kb
Formato: PDF

URI: http://hdl.handle.net/11441/23363

DOI: http://doi.org/10.1587/elex.1.339

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